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61.
求解代数方程组是计算代数几何的最基本问题之一,孤立奇异解的计算则是其中最具挑战性的课题之一,在科学与工程计算中有着广泛的应用,如机器人、计算机视觉、机器学习、人工智能、运筹学、密码学和控制论等.本文结合作者的研究成果,综述了符号数值方法在计算代数系统孤立奇异解、特别是近似奇异解精化与验证方面的研究进展,并对未来的研究方向提出了展望. 相似文献
62.
以N,N-二甲基甲酰胺(DMF)为溶剂,通过改变铜源和表面活性剂,调控反应参数,溶剂热条件下制备了三维十字形、空心及实心的Cu2O球晶。利用XRD、SEM等表征手段,分析探讨了工艺条件变化对Cu2O球晶形貌的影响。研究表明,随着DMF浓度的增大,体系的还原能力增强,Cu+增多,溶液的过饱和度增大,Cu2O晶体集合体形态由晶体结构控制的各向异性与对称性的球晶逐渐向各向同性球晶演变。十二烷基硫酸钠(SDS)、十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)、聚乙烯吡咯烷酮(PVP)等表面活性剂有助于降低溶液的过饱和度,增加结晶质的表面扩散能力,有利于规则形态Cu2O晶粒的形成。反应体系中,Cu(Ac)2·H2O水解生成的羧基与DMF中的甲酰基在高温下发生脱羧反应产生CO2气体以及SDS发泡作用产生的气体是形成空心Cu2O球晶的重要原因。 相似文献
63.
利用hirota双线性法,得到(3+1)维孤子方程、(3+1)维KP-Boussinesq方程、(2+1)维修正Caudrey-Dodd-Gibbon-Kotera-S awada方程、Hirota-Satsuma浅水波方程的精确解,并做出一部分解的图形,进一步研究解的结构和性质. 相似文献
64.
MAX相是一类具有层状结构的三元碳化物或(和)氮化物,M是过渡金属元素,A主要是ⅢA~ⅤA族元素,X是C或N元素。这类化合物兼具陶瓷材料和金属材料的特点,具有优异的导电、导热、耐腐蚀以及抗氧化等性能,在诸多领域具有潜在应用价值。近年来,新元素、新结构和固溶体MAX相的不断出现,进一步扩展了MAX相家族。固溶体MAX相是将合适的元素固溶到已知MAX相中而得到的新MAX相。本文分四类总结了127种MAX相固溶体,对其结构改变和性能调控进行了概括,并指出目前研究存在的理论问题和亟须解决的关键技术,最后对MAX相固溶体的发展进行了预测和展望。 相似文献
65.
66.
We study the well-posedness of a system of one-dimensional partial differential equations modeling blood flows in a network of vessels with viscoelastic walls. We prove the existence and uniqueness of maximal strong solution for this type of hyperbolic/parabolic model. We also prove a stability estimate under suitable nonlinear Robin boundary conditions. 相似文献
67.
《Mendeleev Communications》2023,33(2):225-227
An analysis of the crystal structure of thermolysin revealed four possible precursor clusters (hexamers) of its crystal. Using the method of molecular dynamics and plots of root mean square fluctuation, root mean square deviation and radius of gyration, the most stable hexamer, which is a precursor cluster,was determined. The importance of the established structure of the thermolysin precursor cluster for determining the mechanism of crystal formation is shown. 相似文献
68.
通过建立模型分析了近6年来的北京市高考试题。从试题水平来看,学生需要建立水溶液问题的基本认识角度和分析思路;从能力要求来看,部分试题实现了对关键能力的融合考查。在此基础上进行试题命制和施测,发现学生不能自主调用多个认识角度形成思路,提出了比较不同问题情境中的共同认识角度与建立“水溶液-平衡”二元分析模型的教学改进策略。 相似文献
69.
Structural analysis using powder X-ray diffraction data has overcome many obstacles and nowadays is readily applicable for structural analysis of all types of compounds and materials. Being less straightforward than single crystal diffraction, it requires significant users’ input and consequently, implementation of standardized tools to assess the accuracy of crystal structures. This article discusses potential errors in crystal structure solution and refinement of small-molecule structures obtained from PXRD data. Moreover, it proposes how accuracy of these structures can be improved by using high-quality PXRD data, complementary external analytical techniques, knowledge stored in crystal structure databases, as well as an approach to search the parameter space to avoid local minima in testing different sets of geometry restraints. 相似文献
70.
Komal Kurlekar Anshika Anjali Dr. Predhanekar Mohamed Imran Prof. Samuthira Nagarajan 《Chemphyschem》2023,24(2):e202200375
A series of new zinc porphyrins were synthesized, and their charge transport property was tuned by introducing various groups. Triarylamine was introduced to the porphyrin moiety at the meso-position as an electron donor, enhancing the charge carrier mobility. All the synthesized zinc porphyrins are thermally stable with a decomposition temperature over 178 °C. High frontier molecular orbitals levels of these compounds make them stable donor materials. SEM analysis of zinc porphyrins fabricated by spin-coating resulted in diversely self-assembled films. Field-effect transistors were fabricated using bottom-gate/top-contact architecture (BGTC) by solution-processable technique. The higher charge carrier mobility of 5.17 cm2/Vs with on/off of 106 was obtained for trifluoromethyl substituted compound due to better molecular packing. In addition, GIXRD analysis revealed zinc porphyrins films crystalline nature, which supports its better charge carrier mobility. The present investigation has validated that zinc porphyrin building blocks are an attractive candidate for p-channel OFET devices. 相似文献